Transistor a canale N IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 32nC. Condizionamento: tubus. Controllare: Livello logico. Corrente di assorbimento massima: 41A. DRUCE CORRENTE: 41A. Polarità: unipolari. Potenza: 83W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Resistenza termica abitativa: 1.8K/W. RoHS: no. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:39