Transistor a canale N IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 6600pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 640pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. ID (min): 10uA. Id(imp): 300A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 24 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11