Transistor a canale N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 480A. Marcatura del produttore: GigaMOS. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:25