Transistor a canale N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Transistor a canale N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
23.71fr
5-9
22.16fr
10-19
20.92fr
20-29
19.92fr
30+
18.42fr
Quantità in magazzino: 10

Transistor a canale N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 1.5mA. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 2250pF. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. ID (min): 25uA. Id(imp): 380A. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IXFR180N15P
34 parametri
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
100A
Idss (massimo)
1.5mA
Rds sulla resistenza attiva
13m Ohms
Alloggiamento
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOPLUS247
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7000pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
2250pF
Diodo Trr (min.)
200 ns
Funzione
Superficie posteriore isolata elettricamente
ID (min)
25uA
Id(imp)
380A
Nota
tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(acceso)
30 ns
Td(spento)
150 ns
Tecnologia
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
5V
Vgs(esimo) min.
2.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
IXYS