Transistor a canale N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7600pF. Costo): 2900pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. ID (min): 25uA. Id(imp): 400A. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11