Transistor a canale N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V
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Transistor a canale N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Corrente del collettore: 48A. Costo): 170pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 130 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: HiPerFAST IGBT with Diode. Ic(impulso): 80A. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 75 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:59