Transistor a canale N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2700pF. Corrente del collettore: 60A. Costo): 270pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 120ns. Diodo al germanio: -. Funzione: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Ic(impulso): 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 100 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:59