Transistor a canale N IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.092 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263AB ). Voltaggio Vds(max): 300V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. ID (min): 1uA. Id(imp): 90A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 97 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11