Transistor a canale N IXTP6N100D2, TO220-3
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
17.18fr
5-9
15.65fr
10-19
15.28fr
20-49
14.96fr
50+
14.53fr
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Transistor a canale N IXTP6N100D2, TO220-3. Alloggiamento: TO220-3. : -. Assemblaggio/installazione: THT. Confezione: tubus. DRUCE CORRENTE: 6A. Polarità: unipolari. Potenza: 300W. Resistenza allo stato: 2.2 Ohms. Tempo di reazione: 41ns. Tensione drain-source: 1kV. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:18
IXTP6N100D2
11 parametri
Alloggiamento
TO220-3
Assemblaggio/installazione
THT
Confezione
tubus
DRUCE CORRENTE
6A
Polarità
unipolari
Potenza
300W
Resistenza allo stato
2.2 Ohms
Tempo di reazione
41ns
Tensione drain-source
1kV
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
IXYS