Transistor a canale N IXTQ36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 92m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. ID (min): 1uA. Id(imp): 90A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 24 ns. Td(spento): 97 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11