Transistor a canale N MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Marcatura del produttore: 6T. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06