Transistor a canale N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V
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Transistor a canale N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Alloggiamento: SOT-23. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 50V. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Caratteristiche: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.22A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 0.22A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: JD. Numero di terminali: 3. Polarità: MOSFET N. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): -. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura di funzionamento: 150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Tensione di azionamento: -. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.6V. Tensione gate/source Vgs max: ±20V. Tipo di montaggio: SMD. Vgs (th) (max) @ id: -. Prodotto originale del produttore: Diotec. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:56