Transistor a canale N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor a canale N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.20fr
5-24
0.99fr
25-49
0.85fr
50+
0.79fr
Quantità in magazzino: 16

Transistor a canale N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 410pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 114pF. Diodo Trr (min.): 55.7 ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10uA. Id(imp): 45A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Transistor con controllo a livello logico. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 14 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
MTP3055VL
33 parametri
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.10 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
410pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
114pF
Diodo Trr (min.)
55.7 ns
Funzione
Commutazione ad alta velocità
ID (min)
10uA
Id(imp)
45A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
48W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Transistor con controllo a livello logico
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
14 ns
Tecnologia
"Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
15V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor