Transistor a canale N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: National Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:01