Transistor a canale N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: National Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27