Transistor a canale N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.1m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MP-25ZP. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 6400pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 465pF. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (min): 1uA. Id(imp): 328A. Marcatura sulla cassa: 82N055. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 142W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor MOSFET. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 900. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Renesas Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:29