Transistor a canale N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.42fr
5-24
1.24fr
25-49
1.09fr
50-99
0.97fr
100+
0.80fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 85

Transistor a canale N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 707pF. Costo): 224pF. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: Livello logico. ID (min): 1uA. Id(imp): 60A. Marcatura sulla cassa: 20N6LG. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Td(acceso): 9.6 ns. Td(spento): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:29

Documentazione tecnica (PDF)
NTD20N06L
31 parametri
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.039 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
707pF
Costo)
224pF
Diodo Trr (min.)
42 ns
Funzione
Livello logico
ID (min)
1uA
Id(imp)
60A
Marcatura sulla cassa
20N6LG
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
60W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IDM--60A pulse/10uS
Td(acceso)
9.6 ns
Td(spento)
25 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
15V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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