Transistor a canale N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.52fr
5-24
1.33fr
25-49
1.19fr
50-99
1.10fr
100+
0.98fr
Quantità in magazzino: 32

Transistor a canale N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 4490pF. Costo): 952pF. Diodo Trr (min.): 34 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 230A. Marcatura sulla cassa: 4804NG. Nota: serigrafia/codice SMD 4804NG. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 230A. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 24 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
NTD4804NT4G
32 parametri
ID (T=100°C)
96A
ID (T=25°C)
124A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
3.4M Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
4490pF
Costo)
952pF
Diodo Trr (min.)
34 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
230A
Marcatura sulla cassa
4804NG
Nota
serigrafia/codice SMD 4804NG
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
107W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
ID pulse 230A
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
24 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor