Transistor a canale N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Transistor a canale N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
42.54fr
5-9
40.02fr
10-14
38.47fr
15-29
37.31fr
30+
35.17fr
Quantità in magazzino: 6

Transistor a canale N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4416pF. Costo): 296pF. Diodo Trr (min.): 28 ns. Funzione: UPS, convertitore CC/CC, inverter Boost. ID (min): 100uA. Id(imp): 472A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 503W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 19V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
NTHL020N090SC1
30 parametri
ID (T=100°C)
83A
ID (T=25°C)
118A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.02 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247-3L, CASE 340CX
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4416pF
Costo)
296pF
Diodo Trr (min.)
28 ns
Funzione
UPS, convertitore CC/CC, inverter Boost
ID (min)
100uA
Id(imp)
472A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
503W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Spec info
IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm
Td(acceso)
40 ns
Td(spento)
55 ns
Tecnologia
MOSFET – SiC Power, Single N-Channel
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
19V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor