Transistor a canale N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.26fr
5-24
1.97fr
25-49
1.75fr
50-99
1.59fr
100+
1.38fr
| Quantità in magazzino: 13 |
Transistor a canale N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (massimo): 191A. Rds sulla resistenza attiva: 1.3M Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Marcatura sulla cassa: 4833N. Nota: serigrafia/codice SMD 4833N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 114W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30
NTMFS4833NT1G
19 parametri
ID (T=100°C)
138A
ID (T=25°C)
191A
Idss (massimo)
191A
Rds sulla resistenza attiva
1.3M Ohms
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8FL
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
ID pulse 288A/10ms
Id(imp)
288A
Marcatura sulla cassa
4833N
Nota
serigrafia/codice SMD 4833N
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
114W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor