Transistor a canale N NTMFS5C628NLT1G, DFN5
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.75fr
5-9
1.09fr
10-19
0.97fr
20-49
0.90fr
50+
0.84fr
| Quantità in magazzino: 3 |
Transistor a canale N NTMFS5C628NLT1G, DFN5. Alloggiamento: DFN5. DRUCE CORRENTE: 150A. Polarità: unipolari. Resistenza allo stato: 2M Ohms. RoHS: sì. Tensione drain-source: 60V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 01/01/2026, 21:08
NTMFS5C628NLT1G
8 parametri
Alloggiamento
DFN5
DRUCE CORRENTE
150A
Polarità
unipolari
Resistenza allo stato
2M Ohms
RoHS
sì
Tensione drain-source
60V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Onsemi