Transistor a canale N NTMFS5C628NLT1G, DFN5
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.92fr
5-9
1.20fr
10-19
1.07fr
20-49
1.00fr
50+
0.94fr
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Transistor a canale N NTMFS5C628NLT1G, DFN5. Alloggiamento: DFN5. DRUCE CORRENTE: 150A. Polarità: unipolari. Resistenza allo stato: 2M Ohms. RoHS: sì. Tensione drain-source: 60V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:18
NTMFS5C628NLT1G
8 parametri
Alloggiamento
DFN5
DRUCE CORRENTE
150A
Polarità
unipolari
Resistenza allo stato
2M Ohms
RoHS
sì
Tensione drain-source
60V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Onsemi