Transistor a canale N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Transistor a canale N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.52fr
5-24
1.26fr
25-49
1.06fr
50+
0.94fr
Quantità in magazzino: 779

Transistor a canale N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 790pF. Costo): 175pF. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 2.2 ns. Td(spento): 11.8 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
P2804BDG
25 parametri
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
Ids
1uA
Idss (massimo)
10A
Rds sulla resistenza attiva
0.03 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( D-PAK )
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
790pF
Costo)
175pF
Diodo Trr (min.)
15.5 ns
Funzione
Miglioramento del livello logico
Id(imp)
40A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
32W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
2.2 ns
Td(spento)
11.8 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Niko-semi