Transistor a canale N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-404. Voltaggio Vds(max): 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 920pF. Costo): 260pF. Diodo Trr (min.): 52 ns. Funzione: Transistor di potenza ad effetto di campo, Controllo del livello logico. ID (min): 0.05uA. Id(imp): 180A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 86W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 78 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30