Transistor a canale N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4900pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 390pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 0.05uA. Id(imp): 240A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 95 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30