Transistor a canale N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 30 milliOhms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4720pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 456pF. Diodo Trr (min.): 118 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 0.05uA. Id(imp): 200A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 79 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30