Transistor a canale N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Alloggiamento: TO-251AA. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 14A. Marcatura del produttore: RFD14N05L. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06