Transistor a canale N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. C(in): 2020pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2020pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 600pF. Diodo Trr (min.): 125 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 131W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: MegaFET. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 50A. Marcatura del produttore: RFP50N06. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 131W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 37 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30