Transistor a canale N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 330V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente del collettore: 35A. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 23 ns. Diodo al germanio: -. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: trr 0.06us. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 60 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Prodotto originale del produttore: Renesas Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35