Transistor a canale N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 360V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 85pF. Corrente del collettore: 30A. Costo): 40pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 90 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Prodotto originale del produttore: Renesas Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40