Transistor a canale N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Transistor a canale N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.62fr
5-49
0.49fr
50-99
0.41fr
100+
0.35fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 960

Transistor a canale N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (massimo): 115mA. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 25pF. Costo): 10pF. Funzione: Interfaccia e commutazione. Id(imp): 0.8A. Marcatura sulla cassa: RKM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ROHM. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
RK7002
27 parametri
ID (T=25°C)
115mA
Idss (massimo)
115mA
Rds sulla resistenza attiva
7.5 Ohms
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
25pF
Costo)
10pF
Funzione
Interfaccia e commutazione
Id(imp)
0.8A
Marcatura sulla cassa
RKM
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.2W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
Silicon N-channel MOSFET
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ROHM

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