Transistor a canale N RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.0125 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: ROHM. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30