Transistor a canale N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 12V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 12350pF. Costo): 2775pF. Diodo Trr (min.): 84 ns. Funzione: Power MOSFET. ID (min): 1uA. Id(imp): 70A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.8W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(acceso): 38 ns. Td(spento): 240 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30