Transistor a canale N SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0074 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2000pF. Costo): 260pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30