Transistor a canale N SI4946EY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 4.5A. Marcatura del produttore: SI4946EY-T1-E3. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 60 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22