Transistor a canale N SKM400GB126D, 330A, altro, altro, 1200V

Transistor a canale N SKM400GB126D, 330A, altro, altro, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-3
291.78fr
4-7
278.49fr
8-19
268.62fr
20-49
260.30fr
50+
247.48fr
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Transistor a canale N SKM400GB126D, 330A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 23.1pF. Corrente del collettore: 470A. Costo): 1.9pF. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT ad alta potenza. Ic(impulso): 600A. Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(acceso): 330 ns. Td(spento): 650 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Semikron. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:42

SKM400GB126D
26 parametri
Ic(T=100°C)
330A
Alloggiamento
altro
Custodia (secondo scheda tecnica)
altro
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
23.1pF
Corrente del collettore
470A
Costo)
1.9pF
Dimensioni
106.4x61.4x30.5mm
Diodo CE
Diodo al germanio
no
Funzione
IGBT ad alta potenza
Ic(impulso)
600A
Numero di terminali
7
RoHS
Spec info
IFSM--2200Ap (t=10ms)
Td(acceso)
330 ns
Td(spento)
650 ns
Temperatura di funzionamento
-40...+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.7V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
5V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2.15V
Tipo di canale
N
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
6.5V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
Semikron