Transistor a canale N SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 560V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 750pF. Costo): 350pF. Diodo Trr (min.): 370 ns. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". ID (min): 0.5uA. Id(imp): 22.8A. Marcatura sulla cassa: 08N50C3. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30