Transistor a canale N SPP04N60C3XKSA1, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. ID (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Marcatura sulla cassa: 04N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 58.5 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54