Transistor a canale N SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Cool Mos. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54