Transistor a canale N SPP17N80C3, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Diodo Trr (min.): 550 ns. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". ID (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 77 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54