Transistor a canale N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2400pF. Condizionamento: tubus. Costo): 780pF. DRUCE CORRENTE: 20.7A. Diodo Trr (min.): 500 ns. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". ID (min): 0.1uA. Id(imp): 62.1A. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Polarità: unipolari. Potenza: 208W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 67 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 600V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54