Transistor a canale N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Capacità del gate Ciss [pF]: 2650pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 158W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 80A. Marcatura del produttore: 2N06L11. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 68 ns. RoHS: no. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37