Transistor a canale N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Diodo Trr (min.): 415 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 25uA. Id(imp): 28A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Samsung. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54