Transistor a canale N STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3850pF. Costo): 650pF. Diodo Trr (min.): 40 ns. Funzione: Applicazioni di commutazione, Automotive. ID (min): 1uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: 120N4F6. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54