Transistor a canale N STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 850pF. Costo): 48pF. Diodo Trr (min.): 122 ns. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. ID (min): 1uA. Id(imp): 44A. Marcatura sulla cassa: B12NM50ND. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: MOSFET di potenza FDmesh™ II (con diodo veloce). Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54