Transistor a canale N STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ). Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 790pF. Costo): 70pF. Diodo Trr (min.): 290 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 44A. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54