Transistor a canale N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Transistor a canale N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.15fr
5-49
0.95fr
50-99
0.80fr
100+
0.72fr
Quantità in magazzino: 415

Transistor a canale N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 485pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 57pF. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1uA. Id(imp): 10A. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 36ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2000. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
STD3NK80ZT4
32 parametri
ID (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (massimo)
50mA
Rds sulla resistenza attiva
3.8 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
800V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
485pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
57pF
Diodo Trr (min.)
384 ns
Funzione
HIGH Current, HIGH Speed Switching
ID (min)
1uA
Id(imp)
10A
Marcatura sulla cassa
D3NK80Z
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
36ns
Tecnologia
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2000
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics