Transistor a canale N STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Voltaggio Vds(max): 525V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 545pF. Costo): 45pF. Diodo Trr (min.): 240 ns. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo, IDSS basso. ID (min): 5uA. Id(imp): 17.6A. Marcatura sulla cassa: 5N52K3. Numero di canali: 1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Spec info: Enhancement type. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 29 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54