Transistor a canale N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Transistor a canale N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
43.83fr
5-9
40.87fr
10-19
39.23fr
20-39
37.63fr
40+
34.24fr
Quantità in magazzino: 14

Transistor a canale N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Isolamento elettrico: 2500V (AC-RMS). Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Tf (tipo): 38 ns. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Tr: 70 ns. Voltaggio gate/source Vgs: ±30V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
STE53NC50
23 parametri
ID (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
53A
Idss (massimo)
53A
Rds sulla resistenza attiva
0.07 Ohms
Alloggiamento
ISOTOP ( SOT227B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOTOP ( SOT227B )
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
SMPS POWER MOSFET
Id(imp)
212A
Isolamento elettrico
2500V (AC-RMS)
Pd (dissipazione di potenza, massima)
460W
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
46 ns
Tecnologia
PowerMesh II MOSFET
Temperatura di funzionamento
-65...150°C
Tf (tipo)
38 ns
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Tr
70 ns
Voltaggio gate/source Vgs
±30V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics