Transistor a canale N STF18NM60N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. ID (min): 1uA. Id(imp): 52A. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 55 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54