Transistor a canale N STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 100mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.63 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 452pF. Costo): 30pF. Diodo Trr (min.): 324 ns. Funzione: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. ID (min): 1mA. Id(imp): 26A. Marcatura sulla cassa: 9NM60N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 26A. Td(acceso): 28 ns. Td(spento): 52.5 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54